半导体的未来对于改善的太阳能发电是清楚的

聚焦激光用于产生二氧化锡的薄膜。

移动性是半导体性能的关键参数，并且涉及快速且易于电子可以在物质内移动。研究人员已经达到了曾经报道的二氧化型薄膜之间的最高流动性。这种高迁移率可以允许工程师为下一代LED灯，光伏太阳能电池板或触敏展示技术生产薄且透明的TIN二氧化锡半导体。

锡和氧是非常熟悉的元件，并且当以某种方式组合成二氧化锡时，可以将材料制成半导体。半导体是我们大多数技术的基础，是计算机芯片，太阳能电池板等的基础。自20世纪60年代以来，二氧化锡专门已发现在工业应用中使用，如气体传感器和太阳能器件的透明电极。由于其高迁移率，材料对这些东西有效。对于大多数应用，更高更好。然而，氧化锡的高迁移率仅存在于大块状晶体中，直到现在。

用于制造二氧化锡半导体的原料。

“我们展示了曾经实现过的氧化锡薄膜中的最高流动性。东京大学化学系的研究员Shoichiro Nakao表示，改进的移动性不仅提高了电导率，而且提高了材料的透明度，“Shoichiro Nakao表示。“通常，透明度和电导率不能在材料中共存。典型的透明材料如玻璃或塑料是绝缘的，而像金属一样的导电材料是不透明的。少数材料表现出透明的电导率 - 这非常有趣！“

半导体可以越透明，它可以通过它的光更多。Nakao和他的团队制作了氧化锡薄膜，允许可见光和近红外光通过。这对光伏太阳能电池板的电力转换效率很大，但其他用途可以包括增强型触摸屏，甚至更好的准确性和响应性，或更高效的LED灯。

在玻璃上生长的最终锡二氧化镍薄膜以进行高效的光伏。

“我们的生产方法是创造具有这些性质的物质的关键。我们使用高度聚焦的激光来蒸发纯锡的颗粒，并准确地沉积或生长材料，“Nakao说。“这样的过程使我们能够探索不同的增长条件以及如何掺入额外的物质。这意味着我们可以赋予二氧化锡半导体，具有高迁移率和有用的功能。“

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参考：“高迁移率在TiO2（001）衬底上外延生长的Ta-Doped SnO2薄膜内部限制”通过Michitaka Fukumoto，Shoichiro Nakao，Kei Shigematsu，Daisuke Ogawa，Kazuo Morikawa，Yasushi Hirose和Tetsuya Hasegawa，4月22日，4月20日，科学报告.doi：
10.1038 / s41598-020-63800-3

这项工作得到了JSPS Kakenhi Grant号码15k04687和山峰的支持。